Kategorien elektroniknet.de Prof. Tomás Palacios, Massachusetts Institute of Technology (MIT)

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Alle kommerziell verfügbaren Galliumnitrid-Transistoren sind in der lateralen HEMT-Struktur aufgebaut. Vertikale GaN-Transistoren, wie es bei Silizium und Siliziumkarbid normal ist, sind aufgrund der hohen Substratkosten nicht wirtschaftlich. Doch der MIT-Professor Tomás Palacios ist fest davon überzeugt, dass vertikale GaN-Transistoren auch mit einem Siliziumsubstrat möglich sind.

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