Tags
Medien Prof. Tomás Palacios, Massachusetts Institute of Technology (MIT)
-
88 views
-
0 comments
-
0 likes
-
0 favorites
-
mschneidawind
- 1229 Medien
- hochgeladen 20. Januar 2020
Alle kommerziell verfügbaren Galliumnitrid-Transistoren sind in der lateralen HEMT-Struktur aufgebaut. Vertikale GaN-Transistoren, wie es bei Silizium und Siliziumkarbid normal ist, sind aufgrund der hohen Substratkosten nicht wirtschaftlich. Doch der MIT-Professor Tomás Palacios ist fest davon überzeugt, dass vertikale GaN-Transistoren auch mit einem Siliziumsubstrat möglich sind.
Kategorien:
elektroniknet.de
0 Kommentare
Es gibt noch keine Kommentare. Fügen Sie einen Kommentar hinzu.