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Am 30. Juni und 1. Juli 2021 fand das ECPE SiC & GaN User Forum statt. Es stand unter dem Motto »Potenzial von Wide-Bandgap-Halbleitern in leistungselektronischen Anwendungen«. Wir fragten Prof. Leo Lorenz, den Chairman der ECPE, nach einigen Höhepunkten aus diesem Forum und in welchen Anwendungen SiC und GaN die siliziumbasierten Halbleiter verdrängen werden.
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